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81.
南水北调调蓄工程经济性的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
用于调节南水北调工程来水的有两类水库,在这两类水库中,一类为已建水库,位于南水北调中线以西较高位置,叫做“高库”,例如黄壁庄水库;另一类为拟建水库,位于中线以东平原洼地,也叫“低库”,以大浪淀水库为例.技术经济指标分析表明,第一类水库的供水成本明显小于后者,故得出如下结论:利用某些已建“高库”的闲置库容调节南水北调来水可能是经济的. 相似文献
82.
介绍了有源阵列天线的发展概况、组成结构及技术特点,并对比其与无源阵列天线的优缺点,讨论了有源阵列天线的应用及发展前景。 相似文献
83.
和其他市场相比,信息安全市场比较特殊,即市场需求是派生需求,市场供给具有沉没成本高、扩散风险较大和供给动机多样化等特征。这些特征决定了信息安全市场发展的需求动力和供给动力,也决定了信息安全市场发展的制约因素。为此,应加大专利保护力度,明晰安全责任和加快制定政府规制和行业标准等措施,来推动信息安全市场的发展。 相似文献
84.
介绍了南平造纸厂3150纸机改造的经验,对改造中的资源节约措施进行了详细的叙述,同时对纸机技改的经济效益和遗留问题作了综合评价。 相似文献
85.
M.E. Williams K.-W. Moon W.J. Boettinger D. Josell A.D. Deal 《Journal of Electronic Materials》2007,36(3):214-219
Intermetallic compound (IMC) formation at the interface between the tin (Sn) plating and the copper (Cu) substrate of electronic
components has been thought to produce compressive stress in Sn electrodeposits and cause the growth of Sn whiskers. To determine
if interfacial IMC is a requirement for whisker growth, bright Sn and a Sn-Cu alloy were electroplated on a tungsten (W) substrate
that does not form interfacial IMC with the Sn or Cu. At room temperature, conical Sn hillocks grew on the pure Sn deposits
and Sn whiskers grew from the Sn-Cu alloy electrodeposits. These results demonstrate that interfacial IMC is not required
for initial whisker growth. 相似文献
86.
Quasi-continuous-wave operation of GaAs/AlGaAs quantum-cascade lasers with high average optical power is demonstrated. Double X-ray diffraction has been used to investigate the quality of the epitaxial material. The compositional gradients and the interface quality are controlled effectively. The corrected average power of per facet about 17 mW and temperature tuning coefficient of the gain peak about 0.91 nm/K from 83 K to 140 K is achieved in pulse operation. Best value of threshold current density is less than 3.0 kA/cm2 at 83 K. 相似文献
87.
在临近空间飞行器卫星通信系统中,为了隔离天线载体姿态变化对天线指向的扰动,天线伺服控制需采取波束稳定和跟踪措施,典型的步进跟踪、惯导引导跟踪及单脉冲跟踪体制都难以满足飞行器长期滞空的使用要求,需要研究一种新的跟踪方法。通过分析,给出了相控波束倾斜跟踪方案。采用相控技术使波束产生倾斜和圆锥扫描,实现了高精度的圆锥扫描跟踪,具有独立性好、不需校相等优点,能够适应临近空间飞行器卫星通信天线长期滞空的跟踪要求。 相似文献
88.
S. M. Donovan J. D. Mackenzie C. R. Abernathy S. J. Pearton P. C. Chow J. Van Hove 《Journal of Electronic Materials》1997,26(11):1292-1296
The effects of growth temperature and nitrogen plasma biasing on the electrical and structural properties of InN grown using
electron cyclotron resonance metalorganic molecular beam epitaxy (ECR MOMBE) have been investigated. These results are compared
to those found from InN grown using a higher energy radio frequency (rf) plasma source (rf MOMBE). By varying the bias of
the nitrogen plasma or the growth temperature, it is possible to achieve smooth surface morphologies. However, biasing can
also be used to increase the mobility by a factor of two while the growth temperature has only a small effect. By contrast,
use of an rf plasma improves mobility by nearly a factor of ten. None of the growth conditions investigated were found to
significantly alter the electron concentration, which was measured to be 1−5 × 1020 cm−3. 相似文献
89.
Matthew Seaford Scott Massie Dave Hartzell Glenn Martin Warren Wu John Tucker Lester Eastman 《Journal of Electronic Materials》1997,26(1):30-33
InGaAs/InAlAs double-doped double-strained modulation-doped field-effect transistors OD-SMODFETs)1 were grown by solid source molecular beam epitaxy. The structures were characterized using high resolution x-ray diffraction, Hall effect, and cross-sectional scanning tunneling microscopy. A record two-dimensional electron gas (2DEG) sheet density of 8.5 × 1012/cm2 and 8.1 × 1012/cm2 for 300 and 77K, respectively, was achieved. The mobility was 6500 and 12000 cm2/ Vs for 300 and 77K, respectively. To the author’s knowledge,2 the previous record 2DEG result was 6.58 × 1012/cm2. The electron mobility was limited by alloy scattering and interface roughness caused by the presence of “clustering.” Using cross-sectional scanning tunneling microscopy to verify the presence of these clusters, we have the first images of the lattice matched InAlAs (spacer)-InGaAs (quantum well) interface. These images reveal clusters that have approximate spherical or cylindrical shapes with equivalent cubic dimensions ranging from 25 to 45Å. 相似文献
90.